AP68N06G دیتاشیت

AP68N06G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت AP68N06G
حجم فایل 72.994 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 4

مشاهده دیتاشیت AP68N06G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) AP68N06G
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 104W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 33nC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1.92nF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 50A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 80pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 14mΩ@10V,25A
  • Package: DFN-8(5x6)
  • Manufacturer: ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor)

محصولات مشابه